机译:使用n + InGaAs / InAlAs / n-InGaAs电容器确定In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As之间的导带不连续性
机译:从InGaAs / InAlAs量子阱中的光学跃迁能确定电子有效质量
机译:Siδ掺杂InAlAs / InGaAs / InAlAs单量子阱中的伪纺丝
机译:n型InGaAs / InAlAs单量子阱的导带质量测定
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:N型IngaAs / Inalas单量子孔的传导带质量测定
机译:n型InGaas / Inalas单量子阱的导带质量测定